SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

摘要

본 발명은 트랜지스터의 특성의 편차를 억제하는 것이 가능한 구성을 제공하는 것을 목적으로 한다.처리실; 상기 처리실에 하드 마스크 형성 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 처리실 내에 설치되며, 피에칭막이 형성된 제n 로트의 기판 Wn이 재치되는 기판 재치부; 상기 기판 재치부에 내포된 가열부; 및 상기 제n 로트보다 이전에 처리된 제m 로트의 기판 Wm의 에칭 정보에 기초하여 상기 가열부의 온도 분포를 제어하는 제어부;를 포함하고, 상기 기판 Wm의 상기 에칭 정보가 상기 기판 Wm의 중심인 중심면과 상기 기판 Wm의 중심면의 외주(外周)인 외주면에서의 에칭 레이트 정보이거나 또는 상기 기판 Wm의 중심면과 외주면에서의 피에칭막의 폭의 정보인 기판 처리 장치가 제공된다.