| 摘要 |
(A) 식 (1-1)로 표시되는 트리아릴술포늄=2,3,3,3-테트라플루오로-2-(1,1,2,2,3,3,3-헵타플루오로프로폭시)프로파노에이트, (B) 식 (1-2)로 표시되는 산 발생제, (C) 베이스 수지, (D) 유기 용제 를 함유하는 ArF 액침 노광용 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.(Ar은 아릴기. )(R은 알킬기, 알케닐기 또는 아랄킬기. R는 수소 원자 또는 트리플루오로메틸기. Ar은 아릴기.) 본 발명에 의하면, 소수성이 높고 액침수에의 용출이 낮으며, 산 확산을 제어할 수 있기 때문에, 고해상성의 패턴 프로필을 구축할 수 있다. |
