| 主权项 |
1﹒一种半导体积体电路装置,其构成包括:一半导性材料之本体,该本体含有一种导电型之基质以及属相反导电型之一晶膜层,两者间有接合面;一位于上述基质内邻接上述接合面而具有相反导电型之第一局化区,此局化区内含有由主要第一种化学元素组成之相反导电型之修正剂;一位于上述基质内邻接上述接合面,而与上述第一局化区相间开,并且具有相反导电型之第二局化区。该第二局化区含有主要由第二种不同之化学元素组成而属相反导电型之修正剂;上述之第一及第二种化学元素,其特点为于上述之半导性材料内其扩散系数实质上相等,但于上述晶膜层之生长温度时则具有不同之蒸汽压力,上述之第二种化学元素有较高之蒸汽压力,致使上述晶膜层内邻接第二局化区之部份含有较之上述晶膜层内邻接第一局化部份中所有上述第二种化学元素之自动掺杂原子数为多之第二种化学元素之自动掺杂原子数;邻接于该第一局化区之上述晶膜层之部份内之装置,此装置界定一具有预定特性之电路元件;及邻接于该第二局化区之上述晶膜层之部份内之装置,此装置界定一具有异于前述电路元件特性系电路元件。12﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体积体电路装置,其中该半导性材料为矽元素,上述之一种导电型为P型,而相反之导电型为N型,上述之第一种化学元素乃为锑元素,而上述之第二种化学元素则为元素。13﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体积体电路装置,其中上述之晶膜层有一与上述接合面相距一预定距离之表面;上述晶膜层邻接于上述第一局化区部份内之上述装置:包含上述一种导电型之第二表面邻接区,及一与上述导电型相反之第一表面邻接区。上述晶膜层之邻接于上述第二局化区部份内之上述装置,包含具有上述一种导电型之第二表面邻接区,以及一与上述导电型相反之第二表面邻接区。4﹒根据上述请求专利部份第8项之一种半体体积体电路装置,其中上述晶膜层之邻接于上述第二局化区部份内之上述装置尚包括多个表面邻接区,属于相反之导电型,且位于属上述一种导电型之第二表面邻接区内,并包括属上述一种导电型之第三表面邻接区,与属于一种导电型之上述第二表面邻接区相隔开。5﹒一种制造一半导体装置之方法包括:于邻接基质表面之第一部份处作成第一局化区(该基质乃属于一种导电型之半导材料)该局化区包含相反导电型之修正剂,该修正剂主要由对上述半导体材料具有预扩散系数且于已知温度时具有预定蒸汽压力之第一化学元素构成;于邻接上述基质表面之第二部份处作成第二局化区,该局化区包含相反导电型之修正剂,该修正剂主要由具有与上述第一化学元素完全相同之扩散系数且于上述已知温度时具有较高蒸汽压力之第二化学元素所构成;于上述已知温度,并于上述基质之上述表面处,生长上述半导体材料之晶膜层。因而使邻接于上述第二局化区之上述晶膜层部份所含自动掺杂之上述第二化学元素之原子数目较位于邻接上述第一局化区之上述晶换层部位内,所含自动掺杂之第一化学元素之原子数目为多,将修正剂引入邻接于上述第一局化区之上述晶膜层部份,以界定一种具有预定特性之电路介元件;以及将导电修正剂引入邻接该局化区第二部份之上述晶膜层部位,以界定一电路元件,其特性与前面第一项提及之电路元件之特性不同。6﹒根据上述请求专利部份第5项之一种制造半导体装置之方法,其中上述半导体之材料为矽质,上述之一种导电型为P型,上述之相反导电型为N型,且其中上述第一局化区乃将锑元素扩散进入上述之基质至预定之表面浓度而作成,上述之第二局化区乃将元素扩散进入上述之基质至一预定之表面浓度而作成。7﹒根据上述请求专利部份第6项之一种制造半导体装置之方法,其中元素系扩散至比锑元素之表面浓度为大之一表面浓度。8﹒根据上述请求专利部份第7项之一种制造半导体装置之方法,其中该晶膜层于生长过程中亦受到来自外部之相反导电型修正剂之掺杂,因此,于上述晶膜层内一已知部位所含相反导电型修正剂之总数乃为外来修正剂与自动掺杂之修正剂之和。之形状。 |
