发明名称 THIN FILM TRANSISTOR FOR DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要 본 발명은 표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 개시된 구성은 절연기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함한 절연기판 전면에 게이트절연막, 순수 비정질실리콘층 및 식각방지층을 차례로 적층하는 단계; 상기 식각방지층 상에 열전이층을 형성하는 단계; 상기 열전이층 상에 무기절연물질로 이루어진 캡핑층을 형성하는 단계; 상기 캡핑층 상에 IR 레이저를 이용한 스캐닝을 실시하여 상기 순수 비정질실리콘층을 결정화시키는 단계; 상기 캡핑층과 열전이층을 식각하는 단계; 상기 식각방지층을 선택적으로 식각하여 식각방지층패턴을 형성하는 단계; 상기 식각방지층패턴을 포함한 절연기판 전면에 불순물이 도핑된 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 불순물이 도핑된 비정질실리콘층 상에 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 도전층과 불순물이 도핑된 비정질실리콘층 및 결정화된 비정질실리콘층을 선택적으로 패터닝하여 소스전극 및 드레인전극과, 오믹콘택층 및 결정화된 비정질실리콘층패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 구성된다.
申请公布号 KR101668325(B1) 申请公布日期 2016.10.24
申请号 KR20100045130 申请日期 2010.05.13
申请人 엘지디스플레이 주식회사 发明人 배준현;이슬
分类号 G02F1/136;H01L29/786 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
主权项
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