| 发明名称 | 一种QLED及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种QLED及其制备方法。所述QLED，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极，还包括第一混合异质结层和/或第二混合异质结层，其中，所述第一混合异质结层由空穴传输材料和发光量子点混合制成，并设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间；所述第二混合异质结层由电子传输材料和发光量子点混合制成，并设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN106098956A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610563128.8 | 申请日期 | 2016.07.14 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种QLED，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极，其特征在于，还包括第一混合异质结层和/或第二混合异质结层，其中，所述第一混合异质结层由空穴传输材料和发光量子点混合制成，并设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间；所述第二混合异质结层由电子传输材料和发光量子点混合制成，并设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||