Transistor and method of manufacturing the same

摘要

트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 자기 정렬(self-align) 탑(top) 게이트 구조를 갖는 산화물 박막 트랜지스터일 수 있다. 상기 트랜지스터에서 게이트절연층은 채널영역과 게이트전극 사이에 구비되되, 상기 게이트전극 양측으로 확장된 구조를 가질 수 있다. 상기 게이트절연층은 소오스영역 및 드레인영역의 적어도 일부를 덮을 수 있다.