METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER

摘要

본 발명은, 실리콘계 기판 상에 반도체층을 에피택셜 성장시켜, 에피택셜 웨이퍼를 제작하는 공정과, 상기 제작된 에피택셜 웨이퍼의 외주부를 관찰하는 관찰공정과, 상기 관찰공정에 있어서 관찰된 크랙, 에피택셜층 박리, 및, 반응 흔적의 부분을 제거하는 제거공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 에피택셜 웨이퍼의 제조방법이다. 이에 따라, 완전한 크랙프리의 반도체 에피택셜 웨이퍼를 얻을 수 있는 반도체 에피택셜 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.