发明名称 SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE FLEXIBLE DEVICE SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT THIN FILM ELEMENT THIN FILM TRANSISTOR METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
摘要 본 발명은, 금속층과 폴리이미드층이 적층된 가요성을 갖는 기판 위에 TFT를 제작했을 때에, 금속박 표면의 요철에 의한 TFT의 전기적 성능의 열화를 억제할 수 있어, TFT의 박리나 균열을 억제할 수 있는 플렉시블 디바이스용 기판을 제공하는 것을 제1 목적으로 한다. 본 발명은, 금속박(2)과, 상기 금속박 위에 형성되고 폴리이미드를 포함하는 평탄화층(3)과, 상기 평탄화층(3) 위에 형성되고 무기 화합물을 포함하는 밀착층(4)을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스용 기판을 제공한다.
申请公布号 KR20160130876(A) 申请公布日期 2016.11.14
申请号 KR20167031139 申请日期 2010.09.29
申请人 DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. 发明人 FUKUDA SHUNJI;SAKAYORI KATSUYA;ARIHARA KEITA;ICHIMURA KOJI;AMAGAI KEI
分类号 H01L51/00;G06F3/14;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/52 主分类号 H01L51/00
代理机构 代理人
主权项
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