发明名称 Growth device for single crystalline sapphire ingot
摘要 본 발명의 단결정 사파이어 잉곳 성장장치는 성장로와, 지지축부와, 이송부로 이루어지며; 상기 성장로는 성장로 본체와, 도가니로 이루어지며; 상기 성장로 본체는 상향 개구된 중공체로 구비되며; 상기 도가니는 공급된 원료가 용융되며, 상향 개구된 용기로 구비되며; 상기 지지축부는 복수의 이송부 사이에 구비되며; 상기 지지축부는 폴과, 폴을 회전시키는 폴회전장치로 이루어지며; 상기 폴은 상하 방향으로 연장 구비되며, 상기 이송부와 연결 구비되며; 상기 폴회전장치는 상기 폴에 연결 구비되며; 상기 이송부는 원주 방향으로 이격되어 복수로 구비되며; 상기 이송부는 냉각챔버가 구비되며, 어느 하나의 이송부의 냉각챔버가 상기 성장로 본체와 결합되어 상기 이송부에 구비된 잉곳로드가 상향 이동하여 잉곳이 성장되며; 성장된 잉곳은 상승하면서 냉각챔버 내로 위치하며, 상기 냉각챔버와 함께 이송되는 것을 특징으로 하는 단결정 사파이어 잉곳 성장장치에 관한 것이다.
申请公布号 KR20160130604(A) 申请公布日期 2016.11.14
申请号 KR20150062564 申请日期 2015.05.04
申请人 DSK ENGINEERING CO., LTD. 发明人 CHO, SUN RYE
分类号 C30B17/00;C30B29/20 主分类号 C30B17/00
代理机构 代理人
主权项
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