| 摘要 |
대전 및 컬이 잘 발생하지 않고, 금형을 오염시키지 않고, 또한 금형 추종성이 우수한 이형 필름, 그 제조 방법, 및 상기 이형 필름을 사용한 반도체 패키지의 제조 방법의 제공. 반도체 소자를 금형 내에 배치하고, 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 금형의 경화성 수지가 접하는 면에 배치되는 이형 필름으로서, 수지 봉지부의 형성시에 경화성 수지와 접하는 제 1 열 가소성 수지층과, 수지 봉지부의 형성시에 금형과 접하는 제 2 열 가소성 수지층과, 제 1 열 가소성 수지층과 제 2 열 가소성 수지층 사이에 배치된 중간층을 구비하고, 제 1 열 가소성 수지층 및 제 2 열 가소성 수지층 각각의 180 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률이 10 ∼ 300 ㎫ 이고, 25 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률의 차가 1,200 ㎫ 이하이고, 두께가 12 ∼ 50 ㎛ 이고, 중간층이 고분자계 대전 방지제를 함유하는 층을 포함하는 이형 필름. |
