发明名称 CAPTEUR D'IMAGE A TRANSFERT DE CHARGES A DOUBLE IMPLANTATION DE GRILLE
摘要 L'invention concerne les capteurs d'image TDI. Pour assurer la directionalité du transfert de charges en colonne de pixel à pixel, on prévoit que les pixels adjacents d'une colonne comprennent chacun une photodiode (PHi) de largeur LP et une grille de stockage (Gi) de largeur LG en silicium polycristallin dopé, adjacente à la photodiode du pixel et adjacente à la photodiode (PHi+1) d'un pixel suivant de la colonne. La configuration du dopage de la couche active est unique sur toute la largeur LP de la photodiode ; la configuration du dopage de la couche active est unique sur toute la largeur LG de la grille, et la grille en silicium polycristallin comporte deux types de dopage qui sont un dopage p++ sur une partie de la largeur LG, du côté où la grille est adjacente à la photodiode du pixel et un dopage n++ sur une autre partie de la largeur LG, du côté adjacent à la photodiode du pixel suivant. Cette différence de dopage de la grille crée dans la couche active une marche de potentiel qui assure la directionalité du transfert.
申请公布号 FR3036848(A1) 申请公布日期 2016.12.02
申请号 FR20150054806 申请日期 2015.05.28
申请人 E2V SEMICONDUCTORS 发明人 MAYER FREDERIC;BARBIER FREDERIC
分类号 H01L27/146;H04N5/374 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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