| 主权项 |
1﹒一场效电容以一属于第一导电型(P─)之一第一区(5﹒)在半导体层(4﹒)中,此等一区设有至少一接触电极(7﹒)连接至一第一接头(1),此区上并设有一绝缘电极(9﹒)连接至第二接头(2),此种场效电容之特点为在此半导体层(4﹒)中设有一第二半导体区(10﹒)其导电型属于与第一导电型(P─)相反之一第二导电型,,此第二区(10﹒)设有至少一个接触电极(6﹒)接至第一接头(1)以及此第二区上前配置之一绝缘电极(9')连接至第二接头(2)。2﹒根据上述请求专利部份第1项之一场效电容,其半导体特性为,在每一所述区之接触电极与绝缘电极间为零伏电压时,则不构成完全伸展在相关绝缘电极(强化型)下面之导电层,此种场效电容之特点为在第一区(5)之接触电极(7﹒)与第二区(10﹒)之接触电极(6﹒)之间加有一偏压源(11),此偏电压源之値为使在两个绝缘电极(9,9')之一之下面永远有一导电层,完全伸过所述电极之下面。3﹒根据上述请求专利部份之一种场效电容,其特点为该偏电压源(11)系由一第一(T3)与一第二(T4)绝缘闸场效电晶体之串联连接所构成,此等第一及第二场效电晶体被分别构成在对应于第一及第二区之区中,在此等第一及第二场效应电晶体中,均系将吸极电极连接至相关之闸极电极者。4﹒根据上述请求专利部份第3项之一种场效电容,其特点为设有一电流源(2),用以将静态电流加至第一及第二电晶体。5﹒根据上述请求专利部份第2项之一种场效电容,其特点为该偏电压源(11)乃系被一场效电容所分路者。6﹒根据上述请求专利部份中任何一项或多项之一种场效电容,其特点为第一及第二区(5,10)相互邻接,以及此等区上前配置之绝缘电极(9,9')亦系彼此邻接者(图2)。 |
