| 主权项 |
1﹒一种薄膜场效电晶体装置,其组成部份包括一源极区,一吸极区,一闸极绝缘体,一薄膜沉积而含有至少矽和氟并耦合至所述源极区,吸极区以及闸极绝缘体之非结晶合金,以及与所述闸极绝缘体相接触之一闸极电极。2﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中该非结晶合金亦含有氢。3﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中该非结晶合金之厚度系在100与5000埃之间。4﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中所述吸极区之厚度系在500与20,000埃之间。5﹒依据上近请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中所述源极之厚度系在500与20,000埃之间。6﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效氢晶体,其中该闸极绝缘体为一种金属氧化物。7﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中所述源极区系用一种金属制法。8﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中所述吸极区系用一种金属制成。9﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中所述源极区系用一种半导体合金制或。10﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中所述吸极区系用一种半导体合金制成。11﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中所述闸极电极系用一种金属制成。12﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其中所述闸极电极系用一种半导体合金制成。13﹒依据上述请求专利部份第2项之薄膜场效电晶体,其中所述非结晶合金为SiaFbHc,式中a在80与89之间,b在1与10之间,以及c系在1与10之间之原子百分比者。14﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,此电晶体具有一种平面MOS状结构。15﹒依据上述请求专利部份第14项之薄膜场效电晶体,此电晶体包含多个相互叠置之平面MOS状结构。16﹒依接上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,此种电晶体具有一种V─MOS状结构。17﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,此电晶体系沉积于一金属基质上。18﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜 场效电晶体,此电晶体系沉积于一玻璃基质上。19﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,此电晶体系沉积于一种聚合体基质上。20﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,此电晶体有一薄层绝缘材料在电晶体与金属基质之间,因而使电晶体与金属基质之间只有一段极小距离,因而可使金属基质作用为一有效散热器,用以目所述薄膜场效电晶体散热。21﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,此电晶体具有低于10─10安培之一漏电电流。22﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其截断频率系高于10兆赫。23﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其直流饱和电流大约为10─6安培。24﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,其漏电电流低于10─10安培,其直流饱和电流大于10─6安培,以及其上端截断频率高于10兆赫。25﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,乃系用蒸汽沉积方法所制造者。26﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,乃系用辉光放电方法所制造者。27﹒依据上述请求专利部份第1项之薄膜场效电晶体,含有一基质;所述非结晶合金为此基质上所沉积之N或P型材料;一种绝缘材料系沉积于此非结晶层上之一边上;所述源极区为邻接绝缘层之非结晶层上之一源极金属;此源极金属之另一边上之原始敞开空间,所述吸极区为与源极金属相间离之非结晶层上之一吸极金属;所述非结晶材料上之吸极金属之另一边上之另一绝缘体层;在源极金属,非结晶矽氟层及吸极金属上并与其接触之一沉积闸极绝缘体层;以及沉积于闸极绝缘体上之闸极电极者。28﹒一种薄膜场效电晶体装置,其组成部份包括一源极区,一吸极区,一闸极绝缘体,一薄膜沉积而耦合于源极区,吸极区及闸极绝缘体之半导体合金,以及与具有一种v─Mos状结构之闸极绝缘体相接触之一闸极电极。 |
