发明名称 藻类之培养方法
摘要
申请公布号 TW040444 申请公布日期 1981.12.01
申请号 TW06810505 申请日期 1979.03.13
申请人 卡拜特工业股份有限公司 发明人
分类号 A01H13/00 主分类号 A01H13/00
代理机构 代理人 陈世雄 台北巿大安区一○六六一敦化南路六九五号八楼
主权项 1﹒一种藻类培养法,乃令藻类在光照中殆无波长340nm以下之光线下培养,其中光照系下二种照射:(A)殆无上述波长范围内之光线之天然光线,或(B)藻类生长处乃被覆以殆乎阻止上述波长范围内之光线通过之被置材料,此乃由厚度15-5000微米之塑胶薄膜或板而成,其质料为每100重量份合成树脂含0﹒001-5重量份紫外线吸收剂诸如下式苯并三唑衍生物,式中R4及R5可相向或相异,各为氢,低级烷基,低级烷氧基或芳基,R6为至少6个碳原子之烷基,Y为氢,卤素,低级烷氧基,低级烷氧羰基,或如下式二苯甲酮衍生物式中R7及R8可相同或相异,各为氢,烷氧基或羟基,R9为氢或羟基。2﹒依请求专利部份第1项之培养法,其中光照殆无波长360nm以下之光线。3﹒依请求专利部份第1项之培养法,其中光照殆无波长380nm以下之光线。4﹒依请求专利部分第1﹒-3﹒项中任一项之培养法,其中藻类乃在光照中有波长至少550nm之光线下培养。5﹒依请求专利部份第1项之培养法,其中培养乃在殆乎阻止波长360nm以下之光线之被覆材料之被覆下施行。6﹒依请求专利部分第1项之培养法,其中培养乃在殆乎阻止波长380nm以下之光线之被覆材料之被覆下施行。7﹒依请求专利部份第1项之培养法,其中培养乃以殆乎阻止波长380nm以下之光线而容许波长至少550nm之光线殆乎通过之被覆材料被覆下施行。8﹒依请求专利部分第7﹒项之培养法,其中被覆材料乃由殆乎阻止波长380nm以下之光线而容许波长至少550nm之光线殆乎通过之无机或有机薄膜或板而成。9﹒依请求专利部份第1项之培养法,其中R4及R5所代表之芳基为苯基。10﹒依请求专利部份第1项之培养法,其中R4为分歧之低级烷基或苯基。11﹒依请求专利部份第9﹒或10﹒项中任一项之培养法,其中Y为氯。12﹒依请求专利部份第1-11项中任一项之培养法,其中藻类乃选自Anacy─stisnidalance,Anacystismarina,Anacystiscyanea,Anacyistisdimidata,An─acystismontana,Microc─ystisaeruginosa,Microc─ystismuscicoLa,Microcy─stispulreres,Microcystisfl─os─aquae,Spirulinaplatensis,Spirulinageiteleri,Spir─ulinamaxima,Spirulinasubtilissima,Chlorellapyrenoidosa,Chlorellacandia,Chlorellaellipso─idea,Chlorellaluteoviri─dis,Chlorellaminiate,Chlorellanocturna,Chlor─ellaovalis,Chlorellapro─tothecoides,Chlorellaregularis,Chlorellssace─harophila,Chlerellasim─plex,Chlorellasorokinia─na,Chlorellavannielii,Chlorellazophnngiensis,Anabaenaspiroides,An─abaenaaffinis,Anabaenaambigua,Anabaenaapha─nizomenoides,Anabaenaazolle,Anabaenabaltica,Anabaenacircinalis,Anabaenacylindrica,An─abaenaflos─aquae,Ana─baenavaribilis,Prorpyr─idiumcruentum,Coscin─odiscusasterromphalus,Navicularadiosa,Chl─oaydnmonasnivalis,Scen─edesmusquardicauda,Scenedesmusdimerphus,Scenedesmuslongus,ScenedesmusobiquusandGymuodiniumbreve。
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