发明名称 PATTERN BETWEEN PATTERN FOR LOW PROFILE SUBSTRATE
摘要 제 1 패터닝된 금속 층 사이에 형성되는 제 2 패터닝된 금속 층을 포함하는 집적 회로(IC) 기판이 개시된다. 제 1 패터닝된 금속 층 상에 형성된 유전체 층은 2개의 금속 층들을 분리시킨다. 유전체 층 및 제 2 패터닝된 금속 층 상에 비-전도성 층이 형성된다.
申请公布号 KR20160145572(A) 申请公布日期 2016.12.20
申请号 KR20167028148 申请日期 2015.04.10
申请人 퀄컴 인코포레이티드 发明人 위, 홍복;김, 친관;김, 동욱;이, 재식;황, 규평;송, 영규
分类号 H01L21/768;H01L21/3213;H01L21/48;H01L23/498;H01L23/528;H01L23/532 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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