高电子迁移率晶体管及其形成方法

摘要

一种半导体结构包括第一III‑V族化合物层。第二III‑V族化合物层设置在第一III‑V族化合物层上并且在组成上与第一III‑V族化合物层不同。介电钝化层设置在第二III‑V族化合物层上。源极部件和漏极部件设置在第二III‑V族化合物层上，并且延伸穿过介电钝化层。栅电极在源极部件和漏极部件之间设置在第二III‑V族化合物层的上方。栅电极具有外表面。含氧区在栅电极下方至少嵌入的第二III‑V族化合物层中。栅极介电层具有第一部分和第二部分。第一部分位于栅电极下方且位于含氧区上。第二部分位于栅电极的外表面的一部分上。本发明还涉及高电子迁移率晶体管及其形成方法。

主权项

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：第一III‑V族化合物层；第二III‑V族化合物层，设置在所述第一III‑V族化合物层上并且在组成上不同于所述第一III‑V族化合物层；介电钝化层，设置在所述第二III‑V族化合物层上，所述介电钝化物层具有暴露所述第二III‑V族化合物层的一部分的开口；源极部件和漏极部件，设置在所述第二III‑V族化合物层上，并且延伸穿过所述介电钝化层；栅电极，在所述源极部件和所述漏极部件之间设置在所述第二III‑V族化合物层的上方，所述栅电极具有外表面；含氧区，在所述栅电极下方至少嵌入所述第二III‑V族化合物层；栅极介电层，位于所述栅电极下方且位于所述含氧区上，其中，所述栅极介电层沿着且接触所述介电钝化物层的开口的侧壁，并且所述栅极介电层位于所述介电钝化层的顶面的上方；以及介电保护层，位于所述栅电极的顶面的上方且沿着所述栅电极的侧壁，所述介电保护层位于所述栅极介电层的上方且与所述栅极介电层接触，其中，所述源极部件和所述漏极部件还延伸穿过所述介电保护层和所述栅极介电层中的每一个。