| 主权项 |
1.一种制造改良之光感应性非结晶合金之方法,该方法包含沉积一材料于一基体上,该材料至少包含矽,且至少结合一可降低能阶密度之元素,该元素为氟,并至少加进一增大能带隙之元素于该材料中,而不显着增加能带隙中之能阶,以产生一合金,该合金之能带隙具有加大之利用宽度。2.根据上述请求专利部份第1项所述之方法,其中,该调整元素为碳或氮。3.根据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该合金至少系由一SiF4,H2,,及CH4,之混合物以辉光放电沉积而成。4.根据上述请求专利部份第3项之方法,其中,该混合物至多包含百分之一之CH4。5.根据上述请求专利部份第4项之方法,其中,该SiF4 及H2 之混合具有4此1至10此1之比率。6.根据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该合金之沉积具有一有效光感应性区域于其中,且该可增大能带隙之元素至少加进该区域之一部份。7.根据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该方法构成用于制造连续沉积而导电性相反(p及n)之合金层之一多步骤程序中之一步骤,n型层系在沉积该层时加进一掺杂剂元素所构成,该掺杂剂元素与沉积层一起沉积,以产生一n型层,p型层系在沉积该层时加进一p掺杂剂元素所构成,让掺杂剂元素与该沉积层一起沉积,以产生一p型层,且其中,该可增大能带隙之元素系于沉积该p型或n型层时分别加进于该层中。8.根据上述请求专利部份第7项之方法,其中,在该p及n掺杂层之间沉积有一本质非结晶之合金层,其中并无一p或n掺杂剂元素存在,至少该本质层之一部份含有该可增大能带隙之元素,邻接于含有该可增大能带隙之元素之该p或n掺杂层。9.根据上述请求专利部份第1项之方法,另包括添加一第二可降低能阶密度之元素,让第二元素为氢。10.根据上述请求专利部份第9项之方法,其中,该二可降低能阶密度之元素大致与该可增大能带隙之元素同时加进该沉积合金中。11.根据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该降低元素系在该合金沉积后加进该合金中。12.根据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该增大元素系大致以各别分立之层加进该合金中。13.拫据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该增大元素系以不同之量加入该合金中。14.根据上述请求专利部份第1项之方法,包括在将该增大元素加进该合金之前,先使之蒸发。15.根据上述请求专利部份第14项之方法,包括在将该增大元素加进该合金时,以电浆活化该元素。16.根据上述请求专利部份第15项之方法,包括出电浆活化之蒸发沉积来活化该增大元素。17.根据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该方法包括至少该合金一部份之沉积中具有丁p或n掺杂剂元素之一,以形成p或n导电性型合金。18.由请求专利部份第1项所述之程序制造之一非结晶合金。19.由请求专利部份第2项所述之程序制造之一非结晶合金。20.由请求专利部份第3项所述之程序制造之一非结晶合金。21.由请求专利部份第4项所述之程序制造之一非结晶合金。22.由请求专利部份第5项所述之程序制造之一非结晶合金。23.由请求专利部份第13项所述之程序制造之一非结晶合金。24.由请求专利部份第14项所述之程序制造之一非结晶合金。25.由请求专利部份第15项所述之程序制造之一非结晶合金。26.由请求专利部份第16项所述之程序制造之一非结晶合金。27.一种改良之光感应性非结晶合金,该合金含有矽,并至少添加一百降低能阶密度之元素于其中,该元素为氟,该合金结合有一可增大能带隙之元素,而并不显着增加该隙中之能阶,该合金之能带隙具有增大之利用买度。28.根据上述请求专利部份第27项所述之合金,其中,该可增大能带隙之元素为碳或氮。29.根据上述请求专利部份第27项之合金,其中,该合金中具有一有效光感应性区域,至少该区域之一部份中含有该可增大能带隙之元素。30.根据上述请求专利部份第27项之合金,其中,该合金为连续沉积成之相反(p及n)导电性型层之多层合金,n型层包含一n掺杂剂元素于该层中,以产生一n型层,p型层包含一p掺杂剂元素该层中,以产生一p型层,且其中,该p型或n型层之各别一层含有该可增大能带隙之元素。31.根据上述求请专利部份第30项之合金,其中,在该p及n掺杂层之间沉积有一本质非结晶合金层,其中并无一p或n掺杂剂元素存在,至少该本质层之一部份含有该可增大能带隙之元素,邻接于含有该可增大能带隙之元素之该p型或n型。32.根据上述请求专利部份第27项之合金,另含有一第二可降低能阶密度之元素于其中,该元素为氢。33.根据上述请求专利部份第32项之合金,该合金系由辉光放电沉积法所沉积制成。34.根据上述请求专利部份第27项所述之合金,包括大致在各别分立层之该可增大能带隙之元素。35.根据上述请求专利部份第27项之合金,包括该可增大能隙之元素之量不同。36.根据上述请求专利部份第27项之合金,其中至少含有n或p导电性部份之一,该部份中含有一n或p掺杂剂元素。37.一种改良之光感应性装置,该装置含有相叠置之不同材料层,包含一非结晶半导体合金主体,该主体具有一有效光感应性区域,其中含有一能带隙,放射线能撞击于其上,以产生电荷载子,该非结晶合金至少含有一可降低能阶密度之元素,该元素为氟,该合金中至少在该光感应性区城之一部份中另含有一可增大能带隙之元素,以提高其放射线吸收作用,而并不显着增加该隙中之能阶,该合金之能带隙径增大,以提高该装置之射线利用能力。38.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该光感应性区城中该含有可增大能带隙之元素之部份内之能带隙约为2.OeV。39.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该调整元素为碳或氮。40.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体为一多层主体,由连续沉积之相反.(p及n)导电性型层所构成,n型层系由在沉积该层时加进一n掺杂剂元素所构成,该掺杂剂元素与沉积层一起沉积,以产生一n型层,p型层系由在沉积该层时加进一p掺杂剂元素所构成,该掺杂剂元素与该沉积层一起沉积,以产生一p型层,且其中,各个别之该p型或p型层含有可增大能带隙之元素。41.根据上述请求专利部份第40项之装置,其中,在该p及n掺杂层之间沉积一本质性非结晶合金层,其中并无一p或n掺杂剂元素存在,至少该本质层之一部份含有该可增大能带隙之元素,邻接于含有该可增大能带隙之元素之该p型或n型。42.根据上述请求专利部份第37项之装置,另含有一第二可降低能阶密度之元素于其中,该元素为氢。43.根据上述请求专利部份第42项所述之装置,该装置由辉光放电沉积法所沉积制成。44.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体含有之该可增大能带隙之元素大致在各别分立层。45.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体含有之该可增大能带隙之元素之量不同。46.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体中至少含有一n或p型导电性区域之一,该区域中含有一n或p掺杂剂元素。47.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体构成一肖特基障壁太阳电池之一部份。48.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体构成一MIS太阳电池之一部份。49.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体构成一p-n接合面装置之一部份。50.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体构成一p-i-n装置之一部份。51.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体构成一光检测器之一部份。52.根据上述请求专利部份第37项之装置,其中,该合金主体构成一静电影像产生装置之一部份。 |
