SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTORS

摘要

반도체 소자는, 기판 상에 제1 방향으로 서로 이격된 활성 영역들을 정의하는 제1 소자분리막, 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 배열되어 상기 제1 소자분리막에 연결되고, 상기 활성 영역들의 각각의 내에 상기 기판으로부터 돌출된 복수 개의 활성 패턴들을 정의하는 제2 소자분리막들, 및 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 활성 영역들 사이의 상기 제1 소자분리막 상에 제공되는 게이트 구조체을 포함한다. 상기 제2 소자분리막의 상면의 높이는 상기 활성 패턴들의 상면들의 높이보다 낮고, 상기 제1 소자분리막의 상면의 높이는 상기 활성 패턴들의 상기 상면들의 상기 높이보다 높다. 상기 게이트 구조체의 하면의 적어도 일부의 높이는 상기 활성 패턴들의 상기 상면들의 상기 높이보다 높다.