| 主权项 |
1.一种制式(I)化合物或其药物上接 受之盐之方法 (其中R1乃一氢原子或一羟基,X 为Cn-5,低烷基,Y系X之取代基而 表基(-OR2)m、-CN、-COOR3 ,R2乃一氢原子、-C1-4低烷基 、C2-4低烷醯基或一经一经基取代 之C2-4低烷基或-C1-4低烷氧基 。R3为一氢原子或-C1-4低烷基 。R4系一氢原子、硝基或C1-4低 烷氧基,R5乃一经基或基-COOR3 (其中R3具有加上述界定之相同意 义),n当Y为基(-OR2)时系2 及当Y为其他基之一时则系l,m乃 1.2或3,L系0.1.2或3) 其中乃使式(Ⅱ)之a-取代之 基苯 乙酸 (其中R11乃一氢原子、羟基或一保 护经基,R6系一羟基或保护羟基, Y1或同如式(I)内之Y或为含有 一保护之羟基或羧基之Y及X同如在 式(I)内之X 包括于R11,R6和Y1定义中之羟 基的保护基乃选自醯基,芳烷基,具 有一取代基如甲氧基或硝基在此等芳 烷其中方环上者之经取代的芳烷基、 单价甲矽烷基,双价甲矽烷基和一惯 用于保护羟基之基诸如第三丁基、甲 氧基甲基、苯乙醯基或四氢哄喃基者 之中,包括于Y1定义中之羧基的保 护基乃选自卤代低烷基,方烷基和具 有一取代基如甲氧基或硝基在此等方 烷基中芳环上之经取代的芳烷基者之 中或其反应性衍生物(此反应性衍生 物或为一酸酐、活性酯、活性醯胺或 醯基卤)与式Ⅲ之6一氨基青霉酸 (其中R7乃一氢原子或一保护基, 其乃选自形成塭之有机或无机之盐基 、卤代低烷基、芳烷基、具有一取代 基如甲氧基或硝基在此等芳烷基中苯 环上之经取代的芳烷基和甲矽烷基者 之中)或其反应性衍生物(此反应性 衍生物乃一具有甲矽烷基在6一氨基 上者)在一选自丙酮、四氢 喃、二 甲基王醯胺、 啶、乙睛、二氧陆圜 、氯仿、二氡甲烷、二氯乙烷和乙酸 乙酯者之中之惰性有机溶剂内于一30 和30℃间之温度下相反应,当上述 之a一取代之 基苯乙酸之反应性衍 生物为一活性酯或一活性醯胺时,则 最好在0和10℃间温度下相反应, 当上述反应性衍生物系一酸 时,则 在一15和5℃间温度下反应,而 当上述反应性衍生物为一醯基卤时, 则在-20和-10℃间温度下反应 , 并除去R11.R6.R7或Y1中若 有之任何保护基,当上述羟基中之保 护基为一醯基时,可赖用一无机或有 机之盐基处理以除去,当上述羟基之 保护基系一芳烷基或取代之芳烷基时 ,可赖催化还原以去除,当上述之羟 基保护基为一第三丁基,甲氧基甲基 、苯乙醯基、四氢 喃基或一甲矽烷 基时,可赖用一无机酸处理以去除, 当上述羧基之保护基为一卤代低烷基 时,可赖用一如锌之金属及似乙酸之 酸还原以除去,当上述羧基之保护基 系一芳烷基或取代之芳烷基同时可赖 催化还原或用一有机酸、无机酸或路 易斯酸处理以除去之,当上述羧基之 保护基为一甲矽烷基时.,.可赖用一无 机酸或醇处理以除去之,而当上述羧 基之保护基乃一形成盐之基时,可赖 用一酸以处理之。2.制式I化合物或其药物上接受 之盐制 法 (其中R1乃一氢原子或一羟基,X 为Cn-5低烷基,Y系X之取代基而 表基(-OR2)m、-CN、-COOR3 .R2乃一氢 原子、-C1-4低烷基、C2-4低烷 醯基或一经一羟基取代之C2-4低烷 基或-C1-4低烷氧基,R3为一氢 原子或-C1-4低烷基,R4系一氢 原子、硝基或C1-4低烷氧基,R5 乃一羟基或基-COOR3(其中R3 具有如上述界定之相同意义),n当 Y为基(-OR2)m时系2及当Y为 其他基之一时则系1,m乃l、2或 3,L系0.1.2或3),其中乃 使式(Ⅳ)之N-苯甲醯基氨基甲醯 卤 (其中R8乃一保护之羟基,Y2相 当于Y及可含一保护羟基或羧基与Z 为一卤原子)与式V之a一氨基 基 青霉素 (其中R11和R7具有如上述之相同 意义)或其反应性衍生物反应及将任 何存在于生成产物内之保护基除去。3.依前第2项 之制法,其中N-苯甲醯 基氨基甲醯卤为使包括在RB、R11 和YZ定义内经基之保护基选自一醯 基诸如甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁 醯基或氯乙醯基;一芳烷基诸如 基 、二苯甲基或三苯甲基;一经取代之 芳烷基具有一取代基似甲氧基或硝基 在这些芳烷基之芳环上;一单价甲矽 烷基诸如三甲基代甲矽烷基、三乙基 代甲矽烷基、二甲基。甲氧基代甲矽 烷基、三乙基。甲氧基代甲矽烷基、 三甲氧基代甲矽烷基或三乙氧基代甲 矽烷基;一二价之甲矽烷基如在保护 相邻两羟基情况下之二甲基代甲矽烷 基;或一习用以保护羟基之基诸如第 三丁基、甲氧基甲基、苯醯甲基或四 氢 喃基。4.依前第2项之制法,其中N-苯甲醯 基氨基甲醯卤为使包括在Y2定义内 羧基之保护基选自一卤代低烷基诸加 如氯甲基、2,2,2一三氯乙基或 2,2,2一三氮乙基;一芳烷基诸 如 基、二苯甲基或三苯甲基;一取 代之芳烷基具有一取代基似甲氧基或 硝基在这些芳烷基之芳环上。5.依前第2.项之制法 ,其中a-氨基 基青霉素或其反应性衍生物为使R7 意谓之保护基选自可形成盐之有机或 无机之盐基诸如硷金属、硷土金属、 三乙胺、N-甲基 啶或 啶;一卤 代低烷基诸如氯甲基、2,2,2- 三氯乙基或2,2,2一三氟乙基; 一芳烷基诸如 基、二苯甲基或三苯 甲基,一取代之芳烷甚具有一取代基 似甲氧基或硝基在这些芳烷基之芳环 上;或一甲矽烷基诸如三甲基代甲矽 烷基、三二基代甲矽烷基、二甲基, 甲氧基代甲矽烷基,二乙基。甲氧基 代甲矽烷基、三甲氧基代甲矽烷基或 三苯基代甲矽烷基。6.依前第2项之制法,其中a-氨 基 基青霉素在其a-氨基处引入一甲矽 烷基。7.依前第2项之制法,其中惰性有机溶 剂选自丙酮、四氢 喃、乙 、二甲 基甲醯胺、 啶、二氧陆圜、氯仿、 二氯甲烷、二氯乙烷或乙酸乙酯。8.依前第2项之 制法,其中反应温度选 自0-30℃之范围内。9.依前第2项之制法,其中包括 在R11 R8或Y2定义内羟基之保护基当彼 为一醯基时可赖经一无机或有机之盐 基处理将之除去而当此保护基乃一芳 烷基或取代之芳烷基时可赖行 催还 原反应将之除去及当该保护基系一第 三丁基、甲氧甲基、苯醯甲基、四氢 喃基或甲矽烷基时则可赖用一无机 酸处理将之除去。10.依前第2.项之制法,其中包括 在Y2 定义内羧基之保护基或R7意谓之保 护基当彼为一卤代低烷基时可赖用一 金属和酸还原将之除去而当此保护基 系一芳烷基或取代之芳烷基时可赖行 催还原反应或经一有机酸或无机酸 或路易斯酸处理之除去而当该保护基 为一甲矽烷基可赖用一无机酸或醇处 理之除去及当斯保护基系一形成盐之 盐基时则可赖用一酸处理将之除去。 |
