在用于晶体管沟道应用的置换栅极工艺期间的鳍状物雕刻和包覆

摘要

公开了用于在置换栅极工艺(例如，用于晶体管沟道应用)期间对半导体衬底上的鳍状物的沟道区进行雕刻和包覆的技术。当在去除置换栅极工艺中所使用的虚设栅极之后重新暴露鳍状物的沟道区时执行雕刻和包覆。雕刻包括在鳍状物的重新暴露的沟道区上执行修整蚀刻以使得鳍状物的宽度变窄(例如，变窄2‑6nm)。可以包括锗(Ge)或硅锗(SiGe)的包覆层随后可以沉积在经修整的鳍状物上，从而留下鳍状物的源极/漏极区未受影响。可以在原位或者在没有空气阻断的情况下执行雕刻和包覆以提高经修整的鳍状物的质量(例如，与非原位工艺相比)。

主权项

一种半导体器件，包括：一个或多个鳍状物，所述一个或多个鳍状物形成在衬底上并且由所述衬底形成，每个鳍状物都具有源极区和漏极区以及沟道区，其中，每个鳍状物都具有在所述源极区和所述漏极区中的第一宽度(W1)以及在所述沟道区中的第二宽度(W2)，并且其中，W2小于W1；以及包覆层，所述包覆层沉积在所述一个或多个鳍状物的所述沟道区上，其中，每个鳍状物的包覆沟道区具有第三宽度(W3)。