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<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MOS A STRUCTURE VERTICALE COMPREND NOTAMMENT UNE REGION DE DRAIN 12, UNE REGION DE CONDUCTIVITE OPPOSEE 13 FORMANT UNE JONCTION REDRESSEUSE 14 AVEC LA REGION DE DRAIN, UNE SOURCE EN METAL 17 EN CONTACT OHMIQUE AVEC LA REGION DE CONDUCTIVITE OPPOSEE, UNE COUCHE ISOLANTE 18 ET UNE ELECTRODE DE GRILLE 19 CAPABLE D'INDUIRE UN CANAL CONDUCTEUR DANS LA COUCHE SITUEE ENTRE LA SOURCE ET LE DRAIN.</P><P>APPLICATION AUX TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE.</P>
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