| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UNE DIODE A EFFET LASER.DANS CETTE DIODE A EFFET LASER COMPORTANT UNE COUCHE ACTIVE 13 MENAGEE DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 10 D'UNE MICROPLAQUETTE 21 SOUDEE SUR UN SUPPORT 23 ET COMPORTANT DEUX COUCHES ENSEVELIES 11, 12 DISPOSEES AU-DESSUS DU SUBSTRAT 10, ET UN CONDUCTEUR DE LIAISON 26 SOUDE SUR UNE ELECTRODE 20 FORMEE SUR LEDIT SUBSTRAT, LE CONDUCTEUR DE LIAISON 26 EST SOUDE A DISTANCE DE LA ZONE DU SUBSTRAT CONTENANT LA COUCHE ACTIVE 13.APPLICATION NOTAMMENT AUX DIODES A EFFET LASER POSSEDANT UN DIMENSIONNEMENT TRES PRECIS, UN RENDEMENT ELEVE ET UNE DUREE DE VIE IMPORTANTE. |
