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DANS UN PROCEDE DE DOPAGE AU BORE D'UN MONOCRISTAL DE GAAS COMPRENANT LA CROISSANCE DU CRISTAL DOPE AU BORE A PARTIR D'UNE MASSE FONDUE DE GAAS RECOUVERTE D'UNE MASSE FONDUE DE BO COMME AGENT D'ENCAPSULAGE LIQUIDE, PUIS L'ABAISSEMENT DE LA DENSITE DE DISLOCATION DANS LE CRISTAL SOUMIS A CROISSANCE, ON PREVOIT UN PERFECTIONNEMENT QUI EST CARACTERISE PAR L'UTILISATION D'UN CREUSET EN NB, NAL OU ALO POUR LE SUPPORT DE LA MASSE FONDUE DE GAAS, L'ADDITION DE 0,25 A 0,95 ATOME EN DE BORE DANS DES CONDITIONS TELLES QUE LA QUANTITE D'OXYGENE RESIDUEL EST D'AU PLUS 5 10 MOLE EN PAR RAPPORT A LA MASSE FONDUE DE GAAS ET DE CE FAIT LE REGLAGE DE LA CONCENTRATION DE BORE DANS LE CRISTAL SOUMIS A CROISSANCE A 2 10 - 1 10 CM.
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