发明名称 具有低压低密度聚乙烯中心层的三层薄膜之制法
摘要
申请公布号 TW049641 申请公布日期 1983.04.01
申请号 TW07111830 申请日期 1982.06.02
申请人 联合电石股份有限公司;里 里居柏里路 发明人 威廉 亚朗 佛拉梭;约翰 安东尼;乔罗梅托马斯
分类号 B29C47/06 主分类号 B29C47/06
代理机构 代理人 陈世雄 台北巿大安区一○六六一敦化南路六九五号八楼
主权项 1.一种制造包括高压低密度聚乙烯之外层低压低密度聚乙烯之中心层之柔软,由共同挤压形成的三层膜之方法,此膜是在约350。F至600。F的方法温度下利用一般的吹膜管状挤压法以约4至25磅/小时/寸膜之生产速率制成的,而且没有熔融断纹。2.依请求专利部份第1项之制法,其中外层的厚度每一层均约为0.18至0.35密耳。3.依请求专利部份第1.项之制法,其中各别的层的厚度比例是1:3:1。4.依请求专利部份第「项之制法,其中整个薄膜的厚度约为1.0至3.0密耳5.依请求专利部份第1.项之制法,其中整个薄膜的厚度约为l.5密耳。6.依请求专利部份第1.项之制法,其中薄膜在横向方向的抗张强度高于一对照三层膜在横向方向的抗张强度,后者三层膜的中心层与外层一样的为高压低密度聚乙烯,所说的对照三层膜在其他方面与所说的膜相同。7.依请求专利部份第1.项之制法,其中各别层厚度的比例是1:3:1,总薄膜厚度约为l.5密耳,与薄膜在横向方向的抗张强度至少约为4.0磅/寸o
地址 美国康乃狄格州66817丹柏