| 主权项 |
1.一种半导体开关装置包含一半导体材料体,此半导体材料体有第一和第二主要表面(11,12)以及包含交替传导型区(17,13,14,15,18)的一个五区开关元件,其特征为:本体的第二部份和第一部份合成一体,且包含了一个三区双向对电压灵敏的崩溃元件(20;19;13),其中的13区乃和五区元件中的一区共用,这共用区的作用为当作一个闸元件以触发五区元件双向之一的传导行为。2.如请求专利部份第1.项中的半导体装置,其进一步的特征为:第一部份从第一主要表面(11)延伸到第二主要表面(12),在第一主要表面上的第一主要终端(21)和一个终端区(17)及相邻的(13)区作电阻的接触(ohmiocontact),第二主要表面上的第二主要终端(22)和另一终端区(18)及相邻的(15)区作电阻的接触。3.如请求专利部份第1.项中的半导体装置,其进一步特征为:第二部份包括了交替传导型的三区(20;19;13),这三区和第一主要表面(11)有共用一致的表面且包含了一个第一终端区(20),中间区(19)及第二终端区(13),第一终端区被中间区所包围,而中间区被第二终端区所包围。4.如请求专利部份第2.项中的半导体装置,其进一步特征为:第二部份包含交替传导型的三区(20,19,13),这三区和第一主要表面(11)拥有共用一致的表面,而且包括了一个第一终端区(20),一个中间区(19)和一个第二终端区(13),第一终端区被中间区所包围,中间区则被第二终端区所包围,第二部份的第二终端区和第一部份中一个终端区的相邻区共用。5.如请求专利部份第4.项中的半导体装置,其进一步特征为:传导的设备(23,16)在第二部份的第一终端区(20)和第二主要表面(12)上的第二主要终端(22)之间延伸。6.如请求专利部份第5.项中的半导体装置,其进一步特征为:如所述的传导设备,包含了一个在第一主要表面上的相连接元件(23),和一个本体(body )里从第一主要表面(11)延伸到第二主要表面(12)上的高楼导性区(16)。7.如请求专利部份第6.项中的半导体装置,其进一步特征为:相连接元件和第二部份的第一终端区(20)是作电阻接触的。8.如请求专利部份第7.项中的半导体装置,其进一步特征为:高传导性区和第二主要表面(12)有一个一致的表面,而且第二主要终端(12)和上述一致的表面作电阻的接触。9.如请求专利部份第4.项的半导体装置,其进一步特征为:第二部份的第一终端区(20)在包围它的中间区里朝远离第一部份的方向做偏移。10.如请求专利部份第4.项中的半导体装置,其进一步特征为:第二部份的第二终端区(63)包括了一个相当高传导性的区域(70),此区域是位于第一主要表面(61),及第二终端区和中间区(69)二者间边界的交点上。 |
