| 摘要 |
여기에 제공되는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법은 선택된 워드 라인의 메모리 셀들을 프로그램하고, 검증 동작을 수행하여 상기 선택된 워드 라인의 메모리 셀들의 문턱 전압들이 목표 상태들의 검증 레벨들과 같거나 높은 지의 여부를 판별하는 것을 포함하고, 상기 목표 상태들 각각과 관련된 상기 검증 동작의 시작점은 상기 목표 상태들 이전에 행해진 초기 상태들의 프로그래밍 동안 최초로 검출된 적어도 하나의 패스 비트의 위치에 의거하여 결정되고, 상기 목표 상태들 각각과 관련된 상기 검증 동작의 종료점은 상기 목표 상태들 중 최하위 목표 상태의 패스 정보에 의거하여 결정된다. |
