| 摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest struktura ogniwa fotowoltaicznego, posiadająca półprzewodnikowe podłoże typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym, na którym znajduje się warstwa zawierająca nanostruktury ZnO pokryte warstwą ZnMgO (5), a na niej przezroczysta warstwa przewodząca, korzystnie warstwa ZnO:Al, z kontaktem elektrycznym, charakteryzująca się tym, że warstwę aktywną stanowi złącze Si/ZnO/ZnMgO, przy czym warstwa nanostruktur ZnO o wysokości od 10 nm do 2000 nm jest przykryta warstwą ZnMgO o grubości co najmniej od 1 nm do 2000nm. Przedmiotem zgłoszenia jest również sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego. |
