| 主权项 |
1.一半导体记忆器,含有记忆单元(件)(CELL),此等记忆单元经配置成一种矩阵之横排及纵行,每一记忆单元均含有两个射极连接之电晶体,其集极即交叉连接至其基极,一矩阵横棑中之记忆单元均系在其第一与第二电源线之间连接成彼此并联。转接(交换)装置经连接至第一电源纵,以使第一电源线处于一线路选择电位或一静上电位,一电流源经连接至第二电源线,以保持经连接至电源线之每一记忆单元中所储存之资料,转接装置含有一第一电晶体,此电晶体经由其射极连接至第一电源线,其基极接受电压 波,以使第一电源线处于线路选择电位,转接装置又含有另一电晶体,用以使第一电源线自线路选择电位放电至静止电位或者使第二电源线放电,此种记忆器亦含有检波装置,用以检测第一电晶体基极上之一电压 波之终点并用以控制此另一电晶体,此种检波装置至少间接地连接至第一电晶体之基极,以达成此一目的,此种记忆器之特点为检波装置含有一第二电晶体,其射极经连接至第一电源线,其基极至少间接地连接至第一电晶体之基极,另一电晶体系经由第二电晶体之集极予以控制,第一及第二电晶体分别为第一及第二传导型。2.依据上述请求专利部份第1.项所述之一一半导体记忆器,其特点为将第二电晶体之基极经由一个二极体(20)及一第四电晶体(T4)之一射极至基极接面连接至第一电晶体之基极,此第四电晶体为第一传导型,其基极及集极经分别连接至第一电晶体之基极及集极,此二极体(20)经由其阴极连接至第二电晶体(T2)之基极,一电流源(4)亦连接至后一电晶体。3.依据上述请求专利部份第1.项所述之一半导体记忆器,其特点为将第二电晶体(T2)之基极连接至一电流源(4)及至第一传导型之第四电晶体(T4)之射极,其集极经连接至第一电晶体(T1)之集极,而其基极则连接至一分压器(21,22),此分压器系连接在第一电晶体(T1)之基极与集极之间。4.依据上述请求专利部份第1.,2.或3.项所述之一半导体记忆器,其特点为第二电晶体系一平面pnp型电晶体。 |
