| 主权项 |
1﹒一种半导体光电转换装置,包括有:形成于适当之基片上之导电性基片或第1导电层;形成于导电性基片或第1导电层上之非单晶半导体层压构件;包括至少一I型非单晶半导体层而且其中至少形成有一PI,NI,PIN或NIP接合;及形成于非单晶半导体层压构件上之第2导电层;其特征为,非单晶半导体层压构件之I型非单晶半导体层包含之氧浓度只有5x10^18atoms/cm3或更少。2﹒一种半导体光电转换装置,包括有:形成于适当之基片之导电性基片或第I导电层;形成于导电性基片或第1导电性层上之非单晶半导体层压构件,包括至少一I型非单品半导体而且其中形成有至少一PI,NI,PIN或NIP接合;及形成于非单晶半导体层压构件上之第2导电性层;其特征为,非单晶半导体层压构件之I型非单品半导体层包含之碳浓度只有4X10^18"atoms/cm3或更少。3﹒一种半导体光电转换装置,包括:形成于适当之基片上之导电性基片或第1导电性层;形成于导电性基片或第1导电性层上之非单晶半导体层压构件,包括至少一I型非单晶半导体层而且其中至少形成有至少一PI,NI,PIN或NIP接合;及形成于非单晶半导体层压构件上之第2导电性层;其特征为,非单晶半导体层压构件之I型非单晶半导体层包含之磷浓度只有5X10^15atoms/cm3或更少。4﹒如请求专利部份第1,2或3项之半导体光电转换装置,其特征为,非单晶半导体层压构件之I型非单晶半导体系由矽、锗或SixGe1─x所形成。5﹒如请求专利部份第4﹒项之半导体光电转换装置,其特征为,非单晶半导体层压构件之I型非单晶半导体层包含有作为复合中心中合剂之氢或卤素。 |
