| 主权项 |
1.制造一种光电装置之系统,该光电装置包括衆多沉积于一一连续导电性基底上之无定形半导体材料,该系统包括:一连续导电性基底之供应来源;多个沉积室,当基底通过各室时,各室沉积一各自之半导体材料于该基底之上;及基底表面调制装置,位于基底供应来源及沉积室之间;供在基底表面上形成一反射器之用,无定形半导体材料则沉积于该反射器之上。2.根据上述请求专利部份第1项所述之系统,其中,基底表面调制装置经配置成能形成一单向反射器于基底表面上,无定形半导体材料则沉积于该单向反射器之上。3.根据上述请求专利部份第2.项所述之系统,其中,基底调制装置包括蒸汽沉积装置,用以沉积一反射性材料于基底表面上。4.根据上述请求专利部份第3项所述之系统,其中,基底调制装置包括用于蒸汽沉积银,金,铜,铬,钼或铝于基底上之装置。5.根据上述请求专利部份第1项所述之系统,其中,基底调制装置经配置成能形成一扩散反射器于基底表面上,无定形半导体材料则沉积于该扩散反射器之上。6.根据上述请求专利部份第5.项所述之系统,其中,基底表面调制装置包括一喷砂室,用以将基底表面弄粗糙以形成扩散反射器。7.根据上述请求专利部份第5.项所述之系统,其中,基底表面调制装置包括一喷溅沉积室,用以喷溅一第一反射性材料于基底表面,俾形成扩散反射器。8.根据上述请求专利部份第7.项所述之系统,其中,喷溅沉积室经配置成能喷溅铝于基底表面上。9.根据上述请求专利部份第6.或7.项所述之系统,另包括位于其他调制装置与沉积室间供沉积一第二反射性材料于基底扩散反射器上用之装置。10.根据上述请求专利部份第9.项所述之系统,其中,反射性材料沉积装置包括一蒸汽沉积室。11.根据上述请求专利部份第10.项所述之系统,其中,蒸汽沉积室经配置成能蒸汽沉积银,铝,金或铜于基底扩散反射器上。12.一种调制一连续导电基底之表面之系统,在该表面上将沉积多种无定形半导体材料以形成一光电装置,该系统包括:基底表面调制装置,用以形成一反射器于该基底表面上,无定形半导体材料即系沉积于该反射器之上。13.根据上述请求专利部份第12.项所述之系统,其中,基底表面调制装置经配置成能形成一单向反射器于该基底表面上,无定形半导体材料即系沉积于该单向反射器之上。14.根据上述请求专利部份第13.项所述之系统,其中,基底调制装置包括一蒸汽沉积室用以在基底表面上沉积一反射性材料。15.根据上述请求专利部份第14.项所述之系统,其中,蒸汽沉积室经配置成能在基底表面上沉积银,金,铜,铬,钼或铝。16.根据上述请求专利部份第12.项所述之系统,其中,基底表面调制装置经配置成能在该基底表面上形成一扩散反射器,无定形半导体材料即系沉积于该反射器之上。17.根据上述请求专利部份第16.项所述之系统,其中,基底表面调制装置包括一喷砂室,用以将该基底表面弄粗糙,俾形成扩散反射器。18.根据上述请求专利部份第16.项所述之系统,其中,基底表面调制装置包括一喷溅沉积室.,用以将一第一反射性材料喷溅于该基底表面上以形成扩散反射器。19.根据上述请求专利部份第18.项所述之系统,其中,喷溅沉积室经配置成能喷溅铝于该基底表面上。20.根据上述请求专利部份第17.或18.项所述之系统,另包括将一第二反射性材料沉积于基底扩散反射器上之装置。21.根据上述请求专利部份第20.项所述之系统,其中,反射性材料沉积装置包括一蒸汽沉积室。22.根据上述请求专利部份第21.项所述之系统,其中,蒸汽沉积室经配置成能蒸汽沉积银,铝,金或铜于基底扩散反射器之上。23.制造一种光电装置之方法,该种光电装置包括多种沉积于一连续之导电基底上之无定形半导体材料,该方法包括下列诸步骤:在基底表面上形成一反射器;及使基底前进,通过多个无定形半导体沉积室之每一室以沉积数目相当之无定形半导体材料于该反射器。24.根据上述请求专利部份第23.项所述之方法,其中,形成反射器之步骤包括沉积一反射性材料于基质上以形成一单向反射器。25.根据上述请求专利部份第24.项所述之方法,其中,沉积反射性材料于基底上之步骤包括蒸汽沉积该反射性材料于基底下。26.根据上述请求专利部份第25.项所述之方法,其中,反射性材料为金,银,铝,铜,铬或钼。27.根据上述请求专利部份第24.项所述之方法,其中,在基底上形成反射器之步骤包括在基底前进通过多个无定形半导体沉积室之步骤之直前,使基底连续前进通过一蒸汽沉积室以沉积反射性材料于基底上之步骤。28.根据上述请求专利部份第24.项所述之方法,其中,在基底上形成反射器之步骤包括沉积反射性材料于基底上,缠绕该基底于一检取辊上及然后输送该检取辊至多个无定形半导体沉积室之步骤。29.根据上述请求专利部份第23.项所述之方法,其中,形成反射器之步骤包括形成一扩散反射器于基底上。30.根据上述请求专利部份第29.项所述之方法,其中,形成扩散反射器于基底上之步骤包括赋予该基底表面一粗糙质地之步骤。31.根据上述请求专利部份第30.项所述之方法,其中,赋予基底一粗糙质地之步骤包括将该基底喷砂以形成一扩散反射器之步骤。32.根据上述请求专利部份第30.项所述之方法,其中,赋予基底一粗糙质地之步骤包括将一第一反射性材料喷溅于基底以形成扩散反射器之步骤。33.根据上述请求专利部份第32.项所述之方法,其中,第一反射性材料为铝。34.根据上述请求专利部份第31.或32.项所述之方法,另包括将一第二反射性材料沉积于扩散反射器上之步骤。35.根据上述请求专利部份第34.项所述之方法,另包括蒸汽沉积第二反射性材料扩散反射器上之步骤。36.根据上述请求专利部份第35.项所述之方法,其中,第二反射性材料为金,银,铜,铝,铬或钼。37.根据上述请求专利部份第29.项所述之方法,其中,形成扩散反射器之步骤系在基底前进通过多个无定形半导体室之步骤之直前实施。38.根据上述请求专利部份第29.项所述之方法,其中,形成扩散反射器之步骤系在远离无定形半导体沉积室之一处所实施,且包括将基底缠绕于一检取辊然后将该检取辊输送至多个无定形半导体沉积室之步骤。39.根据上述请求专利部份第38.项所述之方法,另包括在将基底缠绕于检取辊上之前,沉积一第二反射性材料于扩散反射器上之步骤。40.根据上述请求专利部份第39.项所述之方法,其中,沉积第二反射性材料于扩散反射器上之步骤包括蒸汽沉积该第二反射性材料。41.根据上述请求专利部份第40.项所述之方法,其中,第二反射性材料为银,金,铜,铝,铬或钼。42.根据上述请求专利部份第33.项所述之方法,其中,喷溅铝于基底上之步骤包括:设置一内有铝靶之喷溅室;保持该室内约.006托之沉积压力;以约每秒15立方公分之流量引入1-8%之氢稀释氢混合气体于该室;在该室内保持约每平方寸12.4瓦之射频能功率密度。 |
