| 主权项 |
1.具隐晦性侧扩散复晶矽电阻器之制造程序,其包括(1)在绝缘基板上沈积一层复晶矽。(2)将此复晶矽渗入至少11018cm-3浓度之n型杂质。(3)将经渗杂之复晶矽及基板以摄氏600度至1200度之高温热处理,处理之时间视热处理之温度而定,目标以足够使复晶矽活化为主。(4)选择性地以离子植入技术对电阻区施行p型杂质之渗入,此渗入之浓度保持在与n型相等,或微小之差额。(5)热处理使植入之杂质产生n-p中和反应达到活化之效果,处理之温度自摄氏900度至1150度均可,如图三所示,目的是使n-p反应完全。2.对于请求专利项目第1条之制程,其使用离子植入或热扩散进行掺杂之步骤。3.对于请求专利项目第1条之制程,其使用之绝缘基板可以用经热成长氧化矽之矽基板,表面沈积氧化矽膜之矽基板,氧化矽基板或氧化铝基板。4.对于请求专利项目第1条之制程,其使用的基板可以用矽、锗或Ⅲb-Ⅴb二元化合物半导体,或Ⅱb-Ⅵb化合物半导体等。5.对于请求专利项目第1条之制程,其使用的n型杂质可以用磷、砷及锑。6.对于请求专利项目第1条之制程,其使用的p型杂质可以用硼、铝、镓,或铟。7.对于请求专利项目第1条之制程,其使用雷射、氙灯、电子束或离子束作为能源进行热处理步骤。8.对于请求专利项目第1条之制程,其以化学沈积氧化矽膜覆盖在经掺杂后的复晶矽膜在氧化剂环境下进行热处理。9.对于请求专利项目第1条之制程,其复晶矽电阻器被应用为积体电路之一部份。10.对于请求专利项目第1条之制程,其复晶矽电阻之片电阻高于108欧姆/方块,具有低的温度系数,且具有活化能低于0.3电子伏特。 |
