| 主权项 |
1.一种PIN连结光起电力装置其有一电极/PIN/电极之构造,该光起电力装置之改良在于在入射光之相反侧处之P或N层为一光能带隙1.8eV以上,无光电导性在20℃为10-8(.Cm)-1以上之半导体者。2.依请求专利部份第1项之光起电力装置,其中位于入射光相反侧之内面电极之反射率为70%以上者。3.一种如请求专利部份第2.项之光起电力装置,其中该内面电极为从由Ag,Al,Ti-Ag,Ni及Cr群中选择者。4.一种如请求专利部份第1项之光起电力装置,其中该内面电极和半导体间插入一金属氧化物者。5.一种如请求专利部份第4.项之光起电力装置,其中该金属氧化物之光透过率为大于80%者。6.一种如请求专利部份第4.项之光起电力装置,其中该金属氧化物是一层由SnO2,In2O3,铟一锡氧化物中选择之导电金属氧化物或至少二层结合者。7.一种如请求专利部份第4.项之光起电力装置,其中该金属氧化物或具有10-100埃厚度之绝缘金属氧化物者。8.一种如请求专利部份第1项之光起电力装置,其中,I层为其主要素从Si,Ge,Sn组成中选择之无定形半导体或者至少二元素为由Si,Ge,Sn,C,N及O选择之无定形半导体者。9.一种如请求专利部份第8.项之光起电力装置,其中,该I层乃藉由从Si化合物,Ge化合物及Sn化合物或者由碳化氢及氟化碳中选择之化合物组成之混合物经辉光放电分解而制备者。10.一种如请求专利部份第1项之光起电力装置,其有多层之构造乃由个别含P.I.及N层之PIN单位重覆组合而成者。11.一种如请求专利部份第10.项之光起电力装置,其中个别的I层之光能带隙从光入射侧顺序减少者。12.一种如请求专利部份第1项之光起电力装置,其中在入射光侧处之P或N层为-20℃之无光电导性大于10-8(.cm)-1且光能带隙大于1.85eV之半导体者。13.一种如请求专利部份第10.项之光起电力装置,其中在入射光侧处之P或N层为-20℃之无光电导性大于10-8(.cm)且光能带隙大于1.85eV之半导体者。14.一种如请求专利部份第1项之光起电力装置,其中在入射光之相反侧之P或N层为一无定形半导体或者一含有由a-SiC:H,a-SiC:F:H,a-SiCN:H,a-SiCN:F:H,a-SiN:H,a-SiN:F:H,a-SiO:H,a-SiO:F:H,a-SiON:H及a-SiON:F:H选择之徵结晶相之无定形半导体者。15.一种如请求专利部份第14.项之光起电力装置,其中I层为a-Si:H或a-Si:F:H。 |
