| 主权项 |
1.一种光电转换装置,其乃包括:具有一绝缘表面之基底;并排且相互串联连接地连续构成于基底1上之n(n系大于1之整数)个半导体元件U1至Un;其中半导体元件Ui(i=1,2,...n)具有构成于基底1上之第一电极Ei,构成于第一电极Ei上且其间至少具有一半导体接面之非单晶半导体分层元件Qi以及构成于非单晶半导体分层元件Qi上,与第一电极Ei成相对关系之第二电极Fi;其中半导体元件Uj+1之第二电极Fj+1(j=1,2,...(n-1))乃经由第二极Fj+1延伸构成之耦合部份Kj与半导体元件Uj之第一电极Ei相连;其中第二电极Fj+1乃与第一电极Ej成相对关系地延伸于非单晶半导体分层元件Qi上;其中基底系透光;其中第一电极Ei系透光;其中第二电极Fj与Fj+1系以隔离部份Hj隔开;其中第二电极Fi与耦合部份Kj系由与非单晶半导体分层元件Qi接触之电导第二金属氧化层之第二成层元件以及构成于第二金属氧化层上之第二电导材料所构成。2.依据请求专利部份第1.项之光电转换装置,其中第二电极Fi之第二电导材料具有一可昇华金属层。3.依据请求专利部份第2.项之光电转换装置,其中可昇华金属层系由铬构成或主要包含铬之层。4.依据请求专利部份第2.项之光电转换装置,其中隔离部份Hj系第三凹层。5.依据请求专利部份第4.项之光电转换装置,其中第一绝缘层柔构成于曝露至隔离部份Hj之非单晶半导体分层元件Qi的顶部区域上。6.依据请求专利部份第4.项之光电转换装置,其中连续延伸在第二电极Fj与Fj+1上之第二绝缘层乃延伸至隔离部份Hj中。7.依据请求专利部份第1.项之光电转换装置,其中第二电极之第二电导材料量具有一反射金属层。8.依据请求专利部份第7.项之光电转换装置,其中反射金属系由银或铝构成或是主要包含银或铝之层。9.依据请求专利部份第7.项之光电转换装置,其中隔离部份Hj系为第三凹糟,且其中第三凹糟乃延伸至非单晶半导体分层元件Qi中。10.依据请求专利部份第9.项之光电转换装置,其中第三绝缘层系构成于曝露至隔离部份Hj之第三凹糟的非单晶半导体分层元件Qi表面上。11.依据请求专利部份第1.项之光电转换装置,其中非单晶半导体分层元件Qi具有与第二电极Fi接触之N型非单晶半导体层,且其第二电极Fi之第二金属氧化层系由铟氧化物构成或主要包含铟氧化物之层。12.依据请求专利部份第11.项之光电转换装置,其中第二电极Fi之第二电导材料具有一可昇华金属层。13.依据请求专利部份第12.项之光电转换装置,其中可昇华金属系由铬构成或或主要包含铬之层。14.依据请求专利部份第1.项之光电转换装置,其中非单晶半导体分层元件具有第二电极Fi相接触之P型非单晶半导体层,且其中第二电极Fi之第二金属氧化层系由锡氧化物构成或主要包含锡氧化物之层。15.依据请求专利部份第14.项之光电转换装置,其中第二电极Fi之第二电导材料具有一可昇华金属层。16.依据请求专利部份第15.项之光电转换装置,其中可昇华金属系由铬构成或或主要包含铬之层。17.依据请求专利部份第15.项之光电转换装置,其中第一电极Ei系由具有第一电导材料层之第一成层元件以及构成于第一电导材料层且与非单晶半导体分层元件Qi相接触之电导第一金属氧化层构成,其中第二凹层Oj乃由第二电极Fj+1与第一电极Ei间之非单晶半导体分层元件Qj中切割出,而延伸至第一电极Ej,且其中耦合部份Kj之第二金属氧化层系与 |
