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发明名称 半导体装置
摘要
申请公布号 TW062395 申请公布日期 1984.11.01
申请号 TW073101897 申请日期 1984.05.14
申请人 苏妮股份有限公司 发明人 林久雄
分类号 H01L29/06 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 一种半导体装置,其特征为备有:设在半导体基体之一主面之氧化物层,设在该氧化物层上之砷扩散阻止层,及设在该砷扩散阻止层上而可使氢扩散之砷含有层。
地址 日本
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