半导体装置的制法

主权项

于具有在半导体基材上选择地使多结晶半导体层与单结晶半导体层同时形成之晶膜成长过程之半导体装置的制法中,在上述晶膜成长过程之前先行在上述半导体基材之欲形成上述多结晶半导体层之部份上,形成多结晶生成用之基层,此多结晶生成用之基层至少于其表面层具有不与上述晶膜成长过程中供给于上述半导体基材表面之气体发生反应之物质层,为特征之半导体装置的制法。