| 主权项 |
1.一种沉积一传光性及导电性之薄膜于一基质上之改良方法,该方法包括之步骤为:将一室抽成真空;支持一基质于该室中;提供一金属材料源;在真空室中蒸发该金属材料,以产生一金属蒸气于该基质及该金属材料源间所形成之区域中;引进氧气于该区域中;设置一加有射频电力之阴极源于该金属材料源邻近;及激励该阴极,俾自引进于该区域中之氧气原子及蒸发于该区域中之金属原子产生电离之电浆,因而沉积一金属氧化物膜层于该基质上。2.根据上述请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该金属材料之熔点低于450℃。3.根据上述请求专利部份第2.项所述之方法,其中,该金属材料系选自铟,锡,镉,锌,及其混合物所组成之一组。4.根据上述请求专利部份第1.项所述之方法,含有另一步骤:加热该基质至150-300℃,并在该室中蒸发一铟锡复合物,因而沉积氧化铟锡于该基质表面上。5.根据上述请求专利部份第4.项所述之方法,其中,该射频电源系激励至约13.56MHz之频率。6.根据上述请求专利部份第4.项所述之方法,其中,该室内之压力维持于约10-2至10-4torr。7.根据上述请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该金属材料为锌,及该基质系维持于室温。8.根据上述请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该金属材料为铟,及该基质系加热至大约300℃以下之温度。9.根据上述请求专利部份第1.项所述之方法,包含另一步骤:即沉积金属氧化物膜层于一不断移动之基质上。10.根据上述请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该基质包含一半导体本体,本体上沉积该金属氧化物膜层。11.根据上述请求专利部份第10.项所述之方法,其中,该半导体本体包含多层非结晶半导体层。 |
