| 主权项 |
1.一种触媒氢制法包括(a)使包含以重量计至少lppm多环芳族(PNA )化合物或先质之烃原料在氢裂区中在足以造成大觉转化为较低沸点产物之高温度及压力时与加入之氢及以金属促进之晶型沸石氢裂触媒接触;(b)将得自该氢裂解之烃流出物冷凝,并使其分离为低沸点之烃产物及沸点高于约650℉(340℃)及含有少量多环芳族化合物之未转化烃油;(c)令至少一部份之该含有多环芳族化合物之末转化烃油与能选择性留住该等多环芳族化合物之吸附剂在包含压力为自给25至约500psig(170至3450KPa 表计),温度为约100至约500℉(38至260℃)及液体每小时空间速度自约0.1至100之条件下相接触;及(d)将得自步骤(c)之多环芳族化合物浓度减低之未转化烃油循环回到该氢裂区内者。2.上述请求专利部份第1项之方法,在其中该烃原料包括真空气油者。3.根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中该氢裂区系保持于约1000至3000psig (6900至约20700KPa表读)之压力者。4.根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中该氢裂区系保持于约500℉至775℉(260℃至约413℃)之温度者。5.根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中该金属促进之晶型沸石氢裂触媒包括合成之faujasite者。6根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中该金属促进之晶型沸石氢裂触媒含有镍及钨者。7.根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中该吸附剂为矽胶,活性炭,活性矾土,砂石-矾土凝胶,黏土,分子筛或彼等之混合物者。 |
