| 主权项 |
1. 一种密封半导体装置系包括:藉着引线(15,16)电性连接至金属线(13,14)的半导体晶片(10),引线(15 , 16)系从晶片上的填垫(11 ,12)延伸至金属线,该引线包括拱形(25,26)部份,一保护层(21)系构成在晶片的表面,且一塑胶密封材料(22)系围绕该晶片,保护层与该金属线的一部份。其特征为该保护层的厚度足以盖住至少拱形部份的部份(19),其中引线相对于晶片表面的斜度首先系改变为低于45,该保护层包括具有大膨胀系数与低抗剪系数的材料。2.依据请求专利部份第1.的装置,其中保护层为矽氧橡胶。3. 依据请求专利部份第2项的装置,其中晶片填垫上的区域之保护层厚度约0.25毫米。4.依据请求专利部份第1.项装置,其中保护层与塑胶密封材料之间系构成一气隙(23),此气隙在晶片填料上之区域中的宽度系在25一125微米范围内。5. 依据请求专利部份第1.项装置,其中在一40C至150C下保护属材料的膨胀系数大于200ppm/C,其抗剪系数低于100psi 。6. 依据请求专利部份第1.项的装置,其中塑胶密封材料在一40C至125C下,其膨胀系数低于25ppm/C。 |
