| 主权项 |
1.一种具有实质平坦表面之半导体材料本体构成之二极体,本体内有一种导电型之第一区从该平坦表面向下伸展,该第一区有一开口,该木体有一部份伸过此开口,该本体之此一部份内有一相反导电型之第二区从该平坦表面向下伸展,该第二区部份重叠该第一区,因而在该第一及第二区交接部位至少形成两整流接合面。2.根据上述请求专利部份第1.所定之装置,其中所述各整流接合面之每一接合面有一有限之面积,该第一及第二区之排列在能使各该整流接合面之所述有限面积之总和为一常数値,不受该第二区对该第一区之关系位置之影响。3.根据上述请求专利部份第2.项所定之装置,其中该二极体为一曾纳二极体,各该整流接合面均为曾纳崩溃接合面。4.根据上述请求专利部份第3.项所定之装置,其中该第一区及该第二区之一由n边邻接,而n为一偶数整数。5.根据上述请求专利部份第4.项所定之装置,其中该第一区该第二区之另一区由m边邻接,而m为一偶数整数。6.根据上述请求专利部份第5.项所定之装置,其中每一所述整流接合面系于所述之边之一内,此边与另一含有所述各整流接合面之边相对。7.根据上述请求专利部份第6.项所定之装置,其中n为4,所述各边置质上均为平直。8.根据上述请求专利部份第7.项所定之装置,其中m为4,所述各边实质上均为平直。9.根据上述请求专利部份第8.项所定之装置,其中该第一区属于N电导型材料且较该第二区有较高之掺杂度。10.根据上述请求专利部份第9.项所定之装置,其中该第一区之掺杂度比该第二区高一因数10。11.根据上述请求专利部份第l0.项所定之装置,在邻接该整流接合面之该第一,区内有一重叠面,其中该重叠面之掺杂度比该第二区高一约9之因数。12.根据上述请求专利部份第8.项所定之装置,其中该第二区数于N导电型材料,其揍杂度此该第一区为高。13.根据上述请求专利部份第12.项所定之装置,其中该第二区之掺杂度比该第一区高约10之因数。14.根据上述请求专利部份第13.项所定之装置,在邻接该整流接合面之该第一区内有一重叠面,其中该重叠接合面之掺杂度比该第一区高一约9之因数 |
