形成包括I₂-II-IV-VI₄和I₂-(II,IV)-IV-VI₄半导体膜在内的半导体膜的方法以及包括所述半导体膜的电子装置

摘要

本发明的实施例概括来说包括使用于液体溶剂中包括元素I、II、IV和VI的来源的溶液形成具有标称I₂‑II‑IV‑VI₄化学计量比的半导体膜(例如CZTS或CZTSSe)的方法。可在所述溶剂中混合前体以形成所述溶液。在一些实例中，可使用金属卤化物盐作为前体。可将所述溶液涂覆到衬底上并退火以获得所述半导体膜。在一些实例中，所述元素‘I’和‘IV’的所述来源可含有处于+2价氧化态的所述元素，而所述半导体膜可含有处于+1价氧化态的所述元素‘I’和处于+4价氧化态的所述元素‘IV’。实例可用于提供I₂‑(II,IV)‑IV‑VI₄膜。

主权项

一种形成半导体膜的方法，所述方法包含：将第一元素的来源、第二元素的来源、第三元素的来源和第四元素的来源在液体溶剂中合并以形成溶液，其中所述第一元素选自铜和银，其中所述第二元素选自锌和镉，其中所述第三元素选自锡、锗和硅，其中所述第四元素选自硒、硫和碲，其中所述合并包含使至少一种包括所述第二或第三元素的金属卤化物盐在所述液体溶剂中解离，且其中所述液体溶剂是具有足以使所述至少一种金属卤化物盐解离的极性的极性非质子溶剂；用所述溶液涂覆衬底的至少一部分；和使所述溶液退火以形成所述半导体膜。