发明名称 红外线嵌板发射器及其制法
摘要
申请公布号 TW069130 申请公布日期 1985.08.01
申请号 TW074100172 申请日期 1985.01.16
申请人 维卓尼克公司 发明人
分类号 H05B43/00 主分类号 H05B43/00
代理机构 代理人 陈嗣庆 台北巿民权东路三段一四四号一五二六室
主权项 1.一种红外线嵌板发射器,包括:发射主红外线辐射用之机构;邻接该箔片一表面之绝缘层;副发射器,包括电气绝缘性,高发射系数材料,邻接该箔片之另一表面,具有于该箔片相反对之发射表面,该剧发射器吸收该主辐射,并于该发射表面发射副红外线辐射者。2.如请求专利部份第1.项之嵌板发射器,其中,该发射机构包括一片侵蚀箔片者。3.如请求专利部份第2.项之嵌板发射器,其中,该片侵蚀箔片具有电极图案,覆盖总箔片面积之约60至约90%者。4.如请求专利部份第1.项之嵌板发射器,其中,该副发射器为编织铝土布者。5.如请求专利部份第1.项之嵌板发射器,其中,该绝缘层为铝土矽土板者。6.如请求专利部份第1.项之嵌板发射器,其中,跨越该发射表面之温度变化低于约0.5℃者。7.如请求专利部份第1.项之嵌板发射器,其中,该副红外线辐射是在中和远红外线区者。8.一种红外线嵌板发射器,包括:侵蚀箔片,以供发射主红外线辐射;绝缘层,邻接该箔片之一表面,以反射该主辐射;副发射器,包括电气绝缘性、高发射系数材料,邻接该箔片之另一表面,具有与该箔片相反对之发射表面,该副发射器吸收该主辐射,并于该发射表面发射副红外线辐射者。9.一种红外线嵌板发射器,包括:绝缘层;副发射器,包括电气绝缘性、高发射系数材料;发射主红外线辐射用之机构,位于该绝缘层与该国发射器间;主辐射被该绝缘层所反射,并被该副发射器所吸收;而该副发射器则发射副红外线辐射;邻接该发射机构之空隙,以容许该发射机构之热胀冷缩;和电气绝缘性,高发射系数粘合剂,介于该绝缘层与谈到发射器之间;该粘合剂、该绝缘层、及该副发射器,具有实质上一致之热膨胀系数;该绝缘层、该发射机构、和该剧发射器,系以该粘合剂粘结在一起,以形成嵌板发射器者:10.如请求专利部份第9.项之嵌板发射器,其中,该粘合剂、该绝缘层、和该副发射器之热膨胀系数,在1000℃时低于约1%者。11.如请求专利部份第10.项之嵌板发射器,其中,该粘合剂、该绝缘层、与该副发射器之热膨胀系数,在i000℃时低于0.1%者。12.如请求专利部份第9.项之嵌板发射器,其中,该发射机构为侵蚀箔片者。13.如请求专利部份第12.项之嵌板发射器,其中,该侵蚀箔片具有电极图案,覆盖总箔片面积之约80至约90%者。14.如请求专利部份第9.项之嵌板发射器,其中,该副发射器为编织铝土布15.如请求专利部份第14.项之嵌板发射器,其中,该绝缘层为铝土矽土板者。16.如请求专利部份第15.项之嵌板发射器,其中,该粘合剂包括铝土和矽土者。17.如请求专利部份第9.项之嵌板发射器,其中,该空隙厚度约0.025公分至约0.076公分者。18.如请求专利部份第9.项之嵌板发射器,其中,跨越该发射面之温度变化在约0.5℃以下者。19.如请求专利部份第9.项之嵌板发射器,其中,该副红外线辐射系在中和远红外线区者。20.如请求专利部份第19.项之嵌板发射器,其中,该副红外线辐射的颠峰波长大约2.7者。21.红外线嵌板发射器之制法,包括:形成具有开孔之网片及具有开孔之发射主红外线辐射用之机构的组合体;置放反射该主辐射用之绝缘层,邻接该组合体之一面;定置电气绝缘性、高发射系数之材料,邻接该组合体之相反对表面,以形成总成,该材料具有红外线发射面,于该组合体之相反面;施加包括水和电气绝缘性、高发射系数粘合剂之浆液,于该发射面,并容许该浆液透过该网片内之开孔和该发射机构,至该绝缘层该粘合剂、该材料、及该绝缘层、具有实质上一致之热膨胀系数;以及对该总成加热,以蒸发该网片,并将该绝缘层、该材料、和该发射机构粘结在一起者。22.如请求专利部份第21.项之方法,其中,该加热步聚包括步骤为:加热该总成至第一温度,历第一段预定时间,自该总成内之该浆液,蒸发该水;加热该总成至第二温度,高于该第一温度,历第二段预定时间,蒸发该网片,形成空隙,邻接该发射机构,以容许该发射机构热胀冷缩;以及加热该总成至第三温度,高于该第二温度,历第三段预定时间,将该绝缘层、该发射机构、和该材料粘结在一起者。23.如请求专利部份第21.项之力法,其中,该发射机构为侵蚀箔片者。24.如请求专利部份第23.项之方法,其中,该侵蚀箔片具有电极图案,覆盖总箔片面积之约80至约90%者。25.如请求专利部份第21.项之方法,其中,该材料为编织铝土布者。26.如请求专利部份第25.项之方法,其中,该绝缘层为铝土矽土板者。27.如请求专利部份第25.项之方法,其中,该粘合剂包括铝土和矽土者。28.如请求专利部份第22.项之方法,其中,该第一温度低于约150℃者。29.如请求专利部份第22.项之方法,其中,该第二温度低于约500℃。30.如请求专利部份第21.项之方法,其中,该第三温度高于800℃。31.如请求专利部份第21.项之方法,其中,该发射机构系先粘结于该网片之一表面者。32.如请求专利部份第21.项之方法,在该定置步骤之前,又包括:施加该浆液于该组合体,以透过贯穿至该绝缘层者。
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