发明名称 Power semiconductor device.
摘要 <p>Die Anschlußkontakte (18, 19, 20) von Leistungs-Halbleiteranordnungen mit potentialfreiem Metallboden (1) liegen an der Gehäuseoberseite. Die Abstände der Kontakte und ihrer Lage auf dem Gehäuse sind im allgemeinen festgelegt. Die Halbleiterkörper (6,7) sind über zweiteilige Anschlußleiter (13, 14, 15; 16) mit den Anschlußkontakten (18, 19, 20) verbunden. Der erste Teil ist starr ausgebildet und an einem Isolierstoffrahmen (8) befestigt, der das Gehäuseoberteil bildet. Der zweite Teil (16) des Anschlußleiters ist flexibel und verbindet den Halbleiterkörper (6, 7) elektrisch mit dem ersten Teil (13, 14, 15). Damit ist die Lage der Halbleiterkörper unabhängig von der Lage der Anschlußkontakte.</p>
申请公布号 EP0150347(A1) 申请公布日期 1985.08.07
申请号 EP19840114843 申请日期 1984.12.06
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 WURZ, ERWIN, ING. GRAD.
分类号 H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;(IPC1-7):H01L25/04 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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