| 主权项 |
1.一种分光反射率为可变之合金,其特征为:该合金系于固体状态下时,其在较室温为高之第1温度时之结晶构造,与在较该第1温度为低之室温或高于室温之第2温度时之结晶构造不相同之合金,该合金表面之一部份之结晶构造因从第1温度过冷而成为与第2温度时不相同之结晶构造,而其他部份具有第2温度时之结晶构造并且具有与上述过冷之结晶构造不相同之分光反射率。2.如请求专利部份第1项之记录用材料,其特征为:上述合金系由元素周期表之lb族元素中之至少一种,与从IIb族,IIlb族,Ib族及Vb族元素中选出至少一种之合金所构成,而该合金中各成份之比例为下表中之任一种3.如请求专利部份第1项至第3项之记录用材料,其特征为:上述第1温度系高于固相变态点之温度。4.如请求专利部份第1项至第4项之记录用材料,其特征为:上述具有利用急冷形成之结晶构造之合金之分光反射率,与具有利用非急冷形成之第2温度时之结晶构造之合金之分光反射率之差异为5%以上。5.如请求专利部份第1项至第5项之记录用材料,其特征为:上述合金之分光反射率在波长400-1000nm时为10%以上。6.如请求专利部份第1项至第6项之记录用材料,其特征为:上述合金为无容积材质。7.如请求专利部份第1项至第7项之记录用材料,其特征为:上述合金之结晶粒径为0.1um以下。8.如请求专利部份第1项至第8项之记录用材料,其特征为:上述合金为薄膜、箔、条体、粉末或细线中之任一种。9.如请求专利部份第9项之记录用材料,其特征为:上述合金系从熔融状态合金急冷,或从上述合金之气体状态急冷而形成之无容积体。10.如请求专利部份第10项之记录用材料,其特征为:上述箔或细线系将熔融合金浇注于正在旋转之由高传热性构件所构成之辕筒圆周面上形成。11.如请求专利部份第10项之记录用材料,其特征为:上述合金薄膜系将上述合金以蒸着或溅射堆积而成。12.如请求专利部份第10项之记录用材料,其特征为:上述粉末系将上述熔融合金利用液体或气体之冷却媒体喷雾而予以急冷使其凝固而成。 |
