发明名称 TECHNIQUE FOR TEMPERATURE MEASUREMENT AND CALIBRATION OF SEMICONDUCTOR WORKPIECES USING INFRARED
摘要 프로세싱 챔버 내의 작업물의 온도를 측정하기 위한 개선된 시스템 및 방법이 개시된다. 실리콘이 적외선 대역에서 매우 낮은 방사율을 가지기 때문에, 코팅이 작업물의 적어도 일 부분 상에 배치된다. 이러한 코팅은 흑연이거나 또는 용이하게 도포될 수 있는 임의의 다른 재료일 수 있으며, 적외선 스펙트럼 내의 온도에 걸쳐서 상대적으로 일정한 방사율을 갖는다. 일 실시예에 있어서, 흑연의 코팅이 작업물의 일 부분에 도포되며, 이는 코팅의 온도를 관찰함으로써 작업물의 온도가 측정되는 것을 가능하게 한다. 이러한 기술은, 프로세싱 챔버를 교정하거나, 프로세싱 챔버 내의 동작 조건들을 검증하거나, 또는 제조 프로세스를 전개하기 위하여 사용될 수 있다.
申请公布号 KR20160138194(A) 申请公布日期 2016.12.02
申请号 KR20167029599 申请日期 2015.03.11
申请人 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 发明人 크램퍼트, 제프리 이.;피시, 로저, 비.
分类号 H01L21/66;G01J5/00;G01J5/02;G01J5/52;G01K15/00;H01J37/20;H01J37/317;H01L21/67 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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