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发明名称 榹极电晶体
摘要
申请公布号 TW081897 申请公布日期 1986.10.16
申请号 TW075206714 申请日期 1986.01.16
申请人 三洋电机股份有限公司;鸟取三洋电机股份有限公司 日本 发明人 西井雅晴;栗原一夫
分类号 H01L29/73 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种双极电晶体,系在具备:形成在一导电型半导体基板上之逆导电型电子晶膜层;将该电子晶膜(epitaxial)层分离为岛状之岛区城;以及双层地形成于该岛区域表面之一导电型之第1基极区域及逆导电型之射极区域等之双极电晶体(bipolar transistor)中,其特征在:该双极电晶体具备一部分重叠于前述射极区城且较前述基极区域更深之第2基极区域,经由改变该第2基极区域与前述射极区域之重叠面积而控制hFE値者。
地址 日本国大阪府守口巿京阪本通二丁目五番五号
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