发明名称 METHODS OF FORMING PATTERNS USING PHOTORESIST
摘要 패턴 형성 방법에 있어서, 식각 대상막 상에 순차적으로 하부 코팅막 및 포토레지스트 막을 형성한다. 노광 공정을 통해 포토레지스트 막을 노광부 및 비노광부로 구분시킨다. 노광부와 중첩되는 하부 코팅막 부분의 적어도 일부를 노광부와 동일 타입의 극성을 갖는 극성 변환부로 변환시킨다. 포토레지스트 막의 비노광부를 선택적으로 제거한다. 극성 변환부에 의해 노광부의 구조적 안정성이 강화될 수 있다.
申请公布号 KR20160142151(A) 申请公布日期 2016.12.12
申请号 KR20150078132 申请日期 2015.06.02
申请人 삼성전자주식회사 发明人 박철홍;우상윤;고차원;김현우;박상민
分类号 H01L21/027;G03F7/20 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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