发明名称 GAS MODULATION TO CONTROL EDGE EXCLUSION IN A BEVEL EDGE ETCHING PLASMA CHAMBER
摘要 다양한 실시형태는 기판의 베벨 에지 근처의 원하지 않는 침전물을 제거하는 장치 및 방법을 제공하여 처리 수율을 개선한다. 실시형태는, 기판의 에지를 향해 더 바깥으로 에지 익스클루젼 존을 밀기 위해 가장 적절한 베벨 에지 에칭 프로세스를 선택하는 추가적인 프로세스 놉 (knob) 으로서 중심 및 에지 가스 공급장치들을 이용한 장치 및 방법을 제공한다. 본 실시형태는 또한, 베벨 에지에서 에칭 프로파일을 변경하는 튜닝 가스(들) 을 갖고 그리고 처리 가스 및 튜닝 가스를 챔버로 흐르게 하는 중심 및 에지 가스 공급장치들의 결합을 이용하는 장치 및 방법을 제공한다. 튜닝 가스의 이용과 가스 공급장치(들) 의 위치 둘 모두는 베벨 에지에서 에칭 특성에 영향을 끼친다. 총 가스 흐름, 가스 전달 플레이트와 기판 표면 사이의 갭 거리, 압력, 및 처리 가스(들) 의 유형 또한 베벨 에지 에칭 프로파일들에 영향을 주는 것을 발견했다.
申请公布号 KR20160145200(A) 申请公布日期 2016.12.19
申请号 KR20167034233 申请日期 2009.01.16
申请人 램 리써치 코포레이션 发明人 팡 토니;김 윤상;베일리 앤드류 디;리고타 올리비에
分类号 H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/54;H01L21/768;H05H1/46 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利