| 摘要 |
(과제) 효율적으로 질소를 도프할 수 있는, SiC 결정의 제조 방법을 제공한다. 또, SiC 결정의 일부 영역에 대해서만 N 도너 농도를 높게 할 수 있는, SiC 결정의 제조 방법을 제공한다. (해결 수단) Si, C 및 N 을 함유하는 원료 가스를 공급하여, SiC 기판 상에, N 으로 도프된 SiC 결정을 기상 성장시키는 SiC 결정의 제조 방법으로서, 상기 SiC 기판은, La, Ce 혹은 Ti 가 표면의 일부 또는 전부에 퇴적되어 있는 SiC 기판, 혹은, La, Ce 혹은 Ti 가 표면의 일부 또는 전부에 이온 주입되어 있는 SiC 기판인, SiC 결정의 제조 방법. |
