发明名称 |
半导体器件的制造方法和系统 |
摘要 |
本文示出了一种改进的半导体器的制作系统和方法。在此系统中,借助ECR系统和CVD系统的联合可以避免有害的溅射效应。在用联合系统淀积之前,在反应室内可以在基片上预形成一个子层,在不接触大气的情况再传递到用联合系统进行淀积的另一个反应室,以使得这样形成的结有良好的特性。 |
申请公布号 |
CN86107683A |
申请公布日期 |
1987.05.20 |
申请号 |
CN86107683 |
申请日期 |
1986.11.12 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平 |
分类号 |
H01L21/205;C30B25/00;H01L31/06 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
中国专利代理有限公司 |
代理人 |
肖春京;杜有文 |
主权项 |
1、一台制作半导体器件的系统包括:第一CVD系统,具有在其内可进行CVD工艺的第一反应室;第二CVD系统,具有在其内可进行微波增强CVD工艺的第二反应室,所说的第一和第二反应室可以互相连通;固定基片的基片夹持器;和传递装置,用来把夹持器从所说的第一反应室内部在密封条件下传递到所说的第二反应室之内。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市长谷398番地 |