| 主权项 |
1.一个生产制造金氧半导体(MOS)电晶体之制程,包括:(1)在具有P型(或n型)导电性之单晶半导体基板上形成凹沟形状之区域;(2)在凹沟区域之底部及垂直沟边之表面成长一层半导体之氧化物作为闸绝缘;(3)在凹沟区域沈积半导体材料作为闸电极,且此半导体材料实质填平凹沟区域;及(4)将n型(或P型)杂质同时渗入闸极之半导体材料源极与泄极之半导体基板,如此形成源极泄极与闸极在同一平面之表面平坦化构造。2.依专利请求项目1之制程中,其源极、泄极与闸极是用低电阻系数之连线引出;用绝缘材料沈积其上;再经由金属接触窗使金属连线与低电阻系数连线联接源极、泄极与闸极,完成电晶体之电性接连。3.依专利请求项目1之制程中,其所用之半导体基板是矽。4.依专利请求项目1声明之制程中,其所用之n型杂质为磷、砷、或锑。5.依专利请求项目1之制程中,其所用之P型杂质为硼、铝、镓或铟。6.依专利请求项目1声明之制程中,其闸极所用之半导体材料是由浓杂质之复晶矽、或耐火金属矽化物、或耐火金属复晶矽化物等材料制成的。7.依专利请求项目2声明之制程中,其低阻値系数之连线材料是由渗杂质复晶矽、或耐火金属矽化物、或耐火金属复晶矽化物等材料制成的。8.依专利请求项目2声明之制程中,其绝缘材料可用热成长方法或化学汽相沈积方法、或热成长后再施以化学汽相沈积之方法制成的。9.依专利请求项目6.或7.声明之制程中,其耐火金属可选用钨、钛、铂、和钼族中之金属。10.依专利请求项目2声明之制程中,其金属接触是以金属沈积经由绝缘层之蚀刻窗孔连接而成的。 |
